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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 成功用于多靶磁控溅射镀膜机

收藏 2023-12-12

 OEM 厂商为了提高镀膜机镀膜的品质其为客户搭建的多靶磁控溅射镀膜机的溅射源采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380, 清洗源采用 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000, 真空腔体搭配的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 2300.

 

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

射频离子源型号

RFICP380

Discharge 阳极

射频 RFICP

离子束流

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

30 cm Φ

离子束

聚焦平行散射

流量

15-50 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

39 cm

直径

59 cm

中和器

LFN 2000

 

KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000 技术参数:

离子源型号

eH3000

eH3000LO

eH3000MO

Cathode/Neutralizer

HC

电压

50-250V

50-300V

50-250V

电流

20A

10A

15A

散射角度

>45

可充气体

Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others

气体流量

5-100sccm

高度

6.0“

直径

9.7“

水冷

可选

F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current

 

涡轮分子泵 HiPace 2300 技术参数:

型号

接口 DN

抽速 l/s

压缩比

最高启动压强hPa

极限压力

全转速气体流量hPa l/s

启动时间

重量

进气口

排气口

氮气N2

氦气He

公司名片
  • 联系人:袁建平 先生 (Pfeiffer部门 销售工程师)
  • 所在地:上海市
  • 地址:上海 上海市 外高桥保税区西雅路69号16号楼2层
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